
 如果通過高溫的化學氣相沉積CVD在異質襯底上沉積Si薄膜,典型的晶粒尺寸在μm量級。到目前為止,運用傳統晶體硅薄膜太陽能電池工藝,將這種Si薄膜制備為p-n結,得到的最高轉換效率低于6%[26,53,54]。但是,通過固相再結晶或液相再結晶 (共 1961 字) [閱讀本文] >>
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 如果通過高溫的化學氣相沉積CVD在異質襯底上沉積Si薄膜,典型的晶粒尺寸在μm量級。到目前為止,運用傳統晶體硅薄膜太陽能電池工藝,將這種Si薄膜制備為p-n結,得到的最高轉換效率低于6%[26,53,54]。但是,通過固相再結晶或液相再結晶 (共 1961 字) [閱讀本文] >>