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二氧化硅/氟化鎂基超低能耗相變集成光子器件

電子學(xué)報(bào) 頁(yè)數(shù)： 13 2024-11-15
摘要： 相變集成光子器件具有帶寬大、延遲低、多路復(fù)用和抗干擾性好等性能優(yōu)勢(shì)，因此被廣泛視作傳統(tǒng)電子器件的有力競(jìng)爭(zhēng)者.然而，當(dāng)前相變光子器件編程所需的能耗較高，從而對(duì)其商業(yè)應(yīng)用前景造成了嚴(yán)重的損害.為了解決這一問題，本文創(chuàng)造性地提出了一種非常有前景的二氧化硅（SiO2）/氟化鎂（MgF2）基光子架構(gòu)以取代當(dāng)前主流的硅基器件.該器件采用目前已得到廣泛應(yīng)用的相變材料Ge2Sb2Te_... （共13頁(yè)）

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