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液態(tài)前驅(qū)體化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)單層二硒化鎢

材料導(dǎo)報(bào) 頁(yè)數(shù)： 6 2024-01-16
摘要： 化學(xué)氣相沉積(CVD)是實(shí)現(xiàn)二維(2D)過(guò)渡金屬硫族化合物(TMDs)制備的簡(jiǎn)單有效方法。晶核位置的隨機(jī)分布和生長(zhǎng)可控性差是當(dāng)前實(shí)現(xiàn)大面積高質(zhì)量制備TMDs的一項(xiàng)巨大挑戰(zhàn)。本工作以單層二硒化鎢的生長(zhǎng)為例，采用液態(tài)前驅(qū)體并調(diào)控其濃度使微量金屬前驅(qū)體高度均勻地分散在生長(zhǎng)襯底表面，可有效誘導(dǎo)低過(guò)飽和度，從而降低成核密度，最終得到組分分布均勻、高質(zhì)量的單層二硒化鎢。這種液態(tài)前驅(qū)體化學(xué)氣... （共6頁(yè)）

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